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MUN5311DW1T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Número da peça MUN5311DW1T1G
Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
In Stock 1169214 pcs
Preço de Referência
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Product parameter

Número da peça MUN5311DW1T1G
Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 1169214 pcs
Ficha de dados MUN5311DW1, NSBC114EPXxx
Foto do Produto MUN5311DW1T1G.jpg
Categoria Produtos semicondutores discretos
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor SC-88/SC70-6/SOT-363
Série -
Resistor - Base do Emissor (R2) 10 kOhms
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Power - Max 250mW
Embalagem Original-Reel®
Caixa / Gabinete 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes MUN5311DW1T1GOSDKR
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição -
Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA
Número da peça base MUN53**DW1
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