NSBC123JDP6T5G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Número da peça | NSBC123JDP6T5G |
---|---|
Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Descrição | TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963 |
Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Preço de Referência (em dólares americanos) | 8000 pcs | ||||
---|---|---|---|---|---|
$0.022 |
- Parâmetro do produto
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- Ficha de dados
Product parameter
Número da peça | NSBC123JDP6T5G |
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Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Descrição | TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963 |
Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Quantidade Disponível | 1117183 pcs |
Ficha de dados | MUN5235DW1, NSBC123JDxx |
Foto do Produto | NSBC123JDP6T5G.jpg |
Categoria | Produtos semicondutores discretos |
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Tipo transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | SOT-963 |
Série | - |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Power - Max | 339mW |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | SOT-963 |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frequência - Transição | - |
Descrição detalhada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 339mW Surface Mount SOT-963 |
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Atual - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atual - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Número da peça base | NSBC1* |
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