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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - módulos > APT70GR120JD60

APT70GR120JD60

Microsemi

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Número da peça APT70GR120JD60
Fabricante Microsemi
Descrição IGBT 1200V 112A 543W SOT227
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
In Stock 2883 pcs
Preço de Referência
(em dólares americanos)
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Product parameter

Número da peça APT70GR120JD60
Fabricante Microsemi
Descrição IGBT 1200V 112A 543W SOT227
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 2883 pcs
Ficha de dados APT70GR120JD60
Foto do Produto APT70GR120JD60.jpg
Categoria Produtos semicondutores discretos
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 1200V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic 3.2V @ 15V, 70A
Embalagem do dispositivo fornecedor SOT-227
Série -
Power - Max 543W
Caixa / Gabinete SOT-227-4
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor No
Tipo de montagem Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce 7.26nF @ 25V
Entrada Standard
Tipo de IGBT NPT
Descrição detalhada IGBT Module NPT Single 1200V 112A 543W Chassis Mount SOT-227
Atual - Collector Cutoff (Max) 1.1mA
Atual - Collector (Ic) (Max) 112A
Configuração Single
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