HN3C10FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
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| Número da peça | HN3C10FUTE85LF |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrição | TRANSISTOR NPN US6 |
| Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Preço de Referência (em dólares americanos) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.225 | $0.188 | $0.165 | $0.141 | ||
- Parâmetro do produto
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Product parameter
| Número da peça | HN3C10FUTE85LF |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrição | TRANSISTOR NPN US6 |
| Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Quantidade Disponível | 168087 pcs |
| Foto do Produto | HN3C10FUTE85LF.jpg |
| Categoria | Produtos semicondutores discretos |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 12V |
| Tipo transistor | 2 NPN (Dual) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | US6 |
| Série | - |
| Power - Max | 200mW |
| Embalagem | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Outros nomes | HN3C10FUTE85LFCT |
| Temperatura de operação | - |
| Fator de ruído (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Ganho | 11.5dB |
| Frequência - Transição | 7GHz |
| Descrição detalhada | RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 20mA, 10V |
| Atual - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
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