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RN1503(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Número da peça RN1503(TE85L,F)
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
In Stock 727895 pcs
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Product parameter

Número da peça RN1503(TE85L,F)
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 727895 pcs
Ficha de dados RN1501-06
Foto do Produto RN1503(TE85L,F).jpg
Categoria Produtos semicondutores discretos
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 100mA
Tensão - Breakdown SMV
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 50V
Série -
Status de RoHS Tape & Reel (TR)
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms) 22k
Resistor - Base (R1) (Ohms) 250MHz
Power - Max 300mW
Polarização SC-74A, SOT-753
Outros nomes RN1503(TE85LF)TR
Fator de ruído (dB Typ @ f) 22k
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante RN1503(TE85L,F)
Frequência - Transição 70 @ 10mA, 5V
Descrição expandida Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV
Descrição TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 100nA (ICBO)
Atual - Collector Cutoff (Max) 300mV @ 250µA, 5mA
Atual - Collector (Ic) (Max) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
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