RN1503(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
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Número da peça | RN1503(TE85L,F) |
---|---|
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Descrição | TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV |
Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Preço de Referência (em dólares americanos) | 3000 pcs | ||||
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$0.031 |
- Parâmetro do produto
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- Ficha de dados
Product parameter
Número da peça | RN1503(TE85L,F) |
---|---|
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Descrição | TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV |
Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Quantidade Disponível | 727895 pcs |
Ficha de dados | RN1501-06 |
Foto do Produto | RN1503(TE85L,F).jpg |
Categoria | Produtos semicondutores discretos |
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 100mA |
Tensão - Breakdown | SMV |
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 50V |
Série | - |
Status de RoHS | Tape & Reel (TR) |
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms) | 22k |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 250MHz |
Power - Max | 300mW |
Polarização | SC-74A, SOT-753 |
Outros nomes | RN1503(TE85LF)TR |
Fator de ruído (dB Typ @ f) | 22k |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Número de peça do fabricante | RN1503(TE85L,F) |
Frequência - Transição | 70 @ 10mA, 5V |
Descrição expandida | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV |
Descrição | TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV |
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 100nA (ICBO) |
Atual - Collector Cutoff (Max) | 300mV @ 250µA, 5mA |
Atual - Collector (Ic) (Max) | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
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