RN2703JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
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| Número da peça | RN2703JE(TE85L,F) |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrição | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV |
| Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Preço de Referência (em dólares americanos) | 1 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.209 | |||||
- Parâmetro do produto
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- Ficha de dados
Product parameter
| Número da peça | RN2703JE(TE85L,F) |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrição | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV |
| Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Quantidade Disponível | 105636 pcs |
| Ficha de dados | RN2701JE-06JE |
| Foto do Produto | RN2703JE(TE85L,F).jpg |
| Categoria | Produtos semicondutores discretos |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | ESV |
| Série | - |
| Resistor - Base do Emissor (R2) | 22 kOhms |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Power - Max | 100mW |
| Embalagem | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete | SOT-553 |
| Outros nomes | RN2703JE(TE85LF)CT |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição | 200MHz |
| Descrição detalhada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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