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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > 2SB1302S-TD-E

2SB1302S-TD-E

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Número da peça 2SB1302S-TD-E
Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição TRANS PNP 20V 5A SOT89-3
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
In Stock 224793 pcs
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Número da peça 2SB1302S-TD-E
Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição TRANS PNP 20V 5A SOT89-3
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 224793 pcs
Ficha de dados 2SB1302
Foto do Produto 2SB1302S-TD-E.jpg
Categoria Produtos semicondutores discretos
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 20V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 60mA, 3A
Tipo transistor PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor PCP
Série -
Power - Max 1.3W
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete TO-243AA
Outros nomes 2SB1302S-TD-E-ND
2SB1302S-TD-EOSTR
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição 320MHz
Descrição detalhada Bipolar (BJT) Transistor PNP 20V 5A 320MHz 1.3W Surface Mount PCP
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max) 5A
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