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SI4010DY-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Número da peça SI4010DY-T1-GE3
Fabricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
In Stock 138863 pcs
Preço de Referência
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Product parameter

Número da peça SI4010DY-T1-GE3
Fabricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO
Status sem chumbo / Status RoHS Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível 138863 pcs
Ficha de dados SI4010DY
Categoria Produtos semicondutores discretos
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Vgs (Max) +20V, -16V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-SO
Série TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 3.4 mOhm @ 15A, 10V
Dissipação de energia (Max) 6W (Tc)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes SI4010DY-T1-GE3TR
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TA)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3595pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 77nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30V
Descrição detalhada N-Channel 30V 31.3A (Tc) 6W (Tc) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 31.3A (Tc)
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