TK9A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
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| Número da peça | TK9A65W,S5X |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrição | MOSFET N-CH 650V 9.3A TO-220SIS |
| Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Preço de Referência (em dólares americanos) | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.933 | $0.751 | $0.676 | $0.526 | $0.436 | |
- Parâmetro do produto
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- Ficha de dados
Product parameter
| Número da peça | TK9A65W,S5X |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrição | MOSFET N-CH 650V 9.3A TO-220SIS |
| Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Quantidade Disponível | 86410 pcs |
| Ficha de dados | TK9A65W |
| Foto do Produto | TK9A65W,S5X-001.jpg , TK9A65W,S5X-002.jpg |
| Categoria | Produtos semicondutores discretos |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 350µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-220SIS |
| Série | DTMOSIV |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS | 500 mOhm @ 4.6A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 30W (Tc) |
| Embalagem | Tube |
| Caixa / Gabinete | TO-220-3 Full Pack |
| Outros nomes | TK9A65W,S5X(M TK9A65WS5X |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 300V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 650V |
| Descrição detalhada | N-Channel 650V 9.3A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 9.3A (Ta) |
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